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常用二极管的检测方法
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常用二极管的检测方法
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管理员
发表在
基础电路
2013-2-23 19:16:36
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半导体二极管又称为晶体二极管,具有明显的单向导电性,是各种电器设备中应用较为广泛的一种半导体
元器件
,也是日常维修中经常碰到的-种
元器件
,常见的有普通二极管、稳压二极管、发光二极管、光敏二极管等。熟练掌握各种二极管的检测是初学者必需的技能。
1.普通二极管的检测
(1)小功率锗二极管的正向电阻为300Ω~500Ω,硅工极管为lkΩ或更大些。锗二极管的反向电阻为几十干欧,硅二极管的反向电阻在500kΩ以上(大功率的其值要小些)。
(2)根据二极管的正向电阻小,反向电阻大的特点可判断二极管的极性。因为R×1挡使用电流太大,容易烧毁管子;而R×10k挡使用的电压太高,可能击穿管子)。用表笔分别与二极管的两极性相连,测出两阻值,在所测得阻值较小的一次,与黑表笔相连的一端即为二极管的正极。同理,在所测得阻值较大的一次,与黑表笔相接的一端为二极管的负极。如果测得的反向电阻很小,说明二极管内部短路;若正向电阻很大,则说明管子内部断路。在这两种情况下二极管就需报废。
(3)硅二极管一般正向压降为0.6V~0.7V,锗二极管的正向压降为0.IV~0.3V,所以测量一下二极管的正向导通电压,便可判断被测二极管是硅管还是锗管,其方法是在干电池的-端串一个电阻(lkΩ),同时按极性与二极管相接,使二极管正向导通,这时用万用表测量二极管两端的管压降,如果是0,6V~0.7V即为硅管浊口为0,IV~0,3V即为锗管;若用在路动态测量则更为方便。
2.稳压二极管的测量
(1)一般使用万用表的低阻挡测量稳压二极管,由于表内电池为⒈5V,这个电压不足以使稳压二极管反向击穿,因而使用低阻挡测量稳压二极管正反向电阻,其阻值应和普通二极管一样。
(2)稳压二极管的稳压值vz的测量。测量时,必须使管子进人反向击穿区,所以电源电压要大于被测管的稳定电压,这样,就必须用万用表的高阻挡(R×10k挡),这时表内电池是电压较高的叠层电池,当万用表量程置于高阻挡后,测其反向电阻,若实测阻值为Rx,则稳压二极管的稳压值为:
式中,n-所用挡次的倍率数,如所用万用表的最高电阻挡是R×10k,则n=10000。
R0-是万用表的中心阻值。
E0-是所用万用表最高电阻挡的电池电压值。
例:用MF50型万用表测一只2CW14,R0=10Ω,最高电阻挡为R×10k挡,Eo=15V,实测反向电阻为75kΩ,则其稳压值是:
如果实测阻值非常大(接近于无穷),表示被测管的稳压值Vz大于E0,无法将其击穿。
3.发光二极管的测量
发光二极管是一种把电能变换成光能的半导体器件,当它通过一定的电流时就会发光。它具有体积小,工作电压低,工作电流小等特点,
(1)发光二极管内部是一个PN结,具有单向导电性,故其检测方法类似于-般二极管的测量。
4.光敏二极管的测量
光敏二极管是一种能把光照强弱变化转换成电信号的半导体器件。
(1)光敏二极管的顶端有一个能射入光线的窗口,光线通过窗口照射到管芯上,在光的激发下,光敏二极管内产生大量的光电粒子,其导电能力大大增强,使内阻减小。
(2)光敏二极管和稳压二极管类似,也是工作在反向状态,须加反向电压。
(3)光敏二极管的正向电阻不随光的变化而变化,约为几千欧。其反向阻值在无光照时较大,受到光照时,其反向阻值变小,光照越强,反向电阻越小,甚至仅几百欧。去除光照条件,反向电阻立即恢复到原阻值。
(4)根据上述原理,用万用表测光敏二极管的反向电阻,边测边改变光的强弱,观察光敏二极管的反向电阻的变化。如在有光和无光时,反向电阻无变化或变化极小,说明该管已经失效。
半导体
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