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我用的c8051f304(silicon lab),内部FLASH模拟EEPROM,已经置为可写但是写不进去。!

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好好学习 发表于 2012-8-27 00:01:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

本文包含原理图、PCB、源代码、封装库、中英文PDF等资源

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各位大侠,我的的是Silicon Lab的C8051F304的小封装MCU,现在内部Flash模拟一个256字节的EERPOM,已经置为可读可写。通过MASTER器件通过I2C读写EERPOM内容,MASTER写操作函数是成功的,返回值也是正常的。但是再读EEPROM的值,发现刚才写的地址没有变化,值没有写进去?很奇怪。大家有什么经验,指导一下小弟。感激不敬啊!!!

我知道FALSH是写操作的时候,要先把整也擦除,置为0XFF,才能写值进去,但又要保证其他值不变。是不是就要有3页来回倒值。

1. NEW page
2. Save page
3. Prom page

大家对FLASH写操作的过程有没有什么好建议?{:soso_e183:}
admin 发表于 2012-8-27 08:48:55 | 显示全部楼层
先检查下电压对不对
 楼主| 好好学习 发表于 2012-8-27 15:07:13 | 显示全部楼层
大侠,能讲具体一点吗?{:e154:}
 楼主| 好好学习 发表于 2012-8-27 15:07:57 | 显示全部楼层
对了,还有一点,因为我的256
 楼主| 好好学习 发表于 2012-8-27 15:09:54 | 显示全部楼层
大侠,我的256个字节的最后242-255字节本身就是FF。因为我后来试了一下,不去擦写,只对242-255的地址进行写操作,这个时候是可以写成功的。但是写其他地址的时候,就不行。难道是erase没有成功???
admin 发表于 2012-8-27 15:58:24 | 显示全部楼层
检查下你的擦除有没有问题  你可以先擦除 然后读取 看读出来来的数是否全是FF
 楼主| 好好学习 发表于 2012-8-31 21:35:41 | 显示全部楼层
谢谢,我去试试
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