我用的c8051f304（silicon lab),内部FLASH模拟EEPROM，已经置为可写但是写不进去。！

各位大侠，我的的是Silicon Lab的C8051F304的小封装MCU，现在内部Flash模拟一个256字节的EERPOM，已经置为可读可写。通过MASTER器件通过I2C读写EERPOM内容，MASTER写操作函数是成功的，返回值也是正常的。但是再读EEPROM的值，发现刚才写的地址没有变化，值没有写进去？很奇怪。大家有什么经验，指导一下小弟。感激不敬啊！！！

我知道FALSH是写操作的时候，要先把整也擦除，置为0XFF，才能写值进去，但又要保证其他值不变。是不是就要有3页来回倒值。

1. NEW page
2. Save page
3. Prom page

大家对FLASH写操作的过程有没有什么好建议？{:soso_e183:}

先检查下电压对不对

大侠，能讲具体一点吗？{:e154:}

对了，还有一点，因为我的256

大侠，我的256个字节的最后242-255字节本身就是FF。因为我后来试了一下，不去擦写，只对242-255的地址进行写操作，这个时候是可以写成功的。但是写其他地址的时候，就不行。难道是erase没有成功？？？

检查下你的擦除有没有问题  你可以先擦除 然后读取 看读出来来的数是否全是FF

谢谢，我去试试