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for循环编写延时函数的方法

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admin 发表于 2012-9-2 02:15:08 | 显示全部楼层 |阅读模式

本文包含原理图、PCB、源代码、封装库、中英文PDF等资源

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很多初学者对于程序中ms级延时函数的编写方法比较疑惑,其原理和方式虽然简单,但是却没有相关资料。这里用一个例程详细介绍一下。
过程参考如下:
在编译器下建立一个新项目,也可以利用已有项目。此过程中需要注意,单片机晶振的选择,因为for循环里指令的执行时间和晶振有直接关系,本例中晶振使用11.0592M。


5_316_8990a805726c2d4.jpg

编写一段关于延时的函数,主要利用for循环,代码如下:
void delay_ms(unsigned int ms)
{
unsigned int i;
unsigned char j;
for(i=0;i<ms;i++)
{
for(j=0;j<200;j++);
for(j=0;j<102;j++);
}

}
其中ms是输入参数,如果输入1,就是要求程序延时1ms。
j变量是调整程序运行的时间参数。调整j的数值,使1次循环的时间在1ms。
将此程序编译通过,然后利用软件仿真,调整时间。


5_316_92f0ea22dfb72e5.jpg


5_316_929a20ebb518c33.jpg


两次时间差就是延时函数使用的时间,如果与1ms相差比较多,用户可以调整j参数的值,使延时时间尽量接近1ms。如增大j的值for(j=0;j<105;j++);
此方法得出延时函数,在晶振不同的情况下,延时时间会不准。另外这种方法不是完全精确的延时,所以不要太深研究误差的问题。软件调试结果,这个程序的延时时间为:1.01779ms,一般的单片机系统中都可以应用。
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