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TEA1520系列单片开关电源的应用电路及设计要点
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TEA1520系列单片开关电源的应用电路及设计要点
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管理员
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电源技术
2014-4-2 12:32:30
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1 简易型
开关
电源
由
TEA
15
20
系列
构成的简易型
开关电源
电路如图1所示。
图1由
TEA1520
系列构成简易型开关电源的电路
为防止刚上电时输入
滤波
电容
的充电
电流
过大,在交流电源输入端串联了一只负温度系数的
热敏电阻
R1(
NTC
)。BR为整流桥。由
C1
、L和C2构成π型
滤波器
。交流电源电压u经过整流滤波后获得直流高压UI,给高频
变压器
一次侧供电。由
VDZ
和VD1构成的钳位保护电路,可将漏感产生的尖峰电压衰减到安全范围内,避免损坏芯片。二次绕组电压通过
VD3
、C5整流滤波后,获得输出电压UO。反馈绕组电压UF分成两路:第一路经过
VD2
、
R2
、C3整流滤波后,给TEA1520提供电源电压
UCC
,再经过R3、R4分压后得到反馈电压U
REG
,加至TEA1520的脚4;另一路则通过退磁电阻RAUX接脚5。R5和C4分别为振荡电阻、振荡电容。RI是过流检测电阻,利用过流保护电路可限制漏极电流不超过极限值。
C6
为安全电容。
2 精密开关电源
由
TEA1522T
构成的3W精密开关电源电路如图2所示。当配80~276V交流电源时,最大输出
功率
可达7W。与图1所示电路相比主要有以下区别:
图2 由TEA1522T构成的3W精密开关电源电路
1)电路中增加了由可调式并联
稳压
器(
TL431
)和光耦合器(
SFH6106
-2)组成的光耦反馈式电路;
2)输出级采用两级滤波器,第一级滤波器由C3构成,第二级滤波器由L2、C4构成,亦称后置滤波器,可进一步滤除纹波电压;
3)在UCC-REG端之间并联一只反向击穿电压为22V的1N6008B型稳压管,一旦UCC>22V,可起到钳位保护作用。
一次侧的钳位保护电路由VDZ1和VD1所组成。其中,VDZ1为
BZD
27-C160型瞬态电压抑制器,可直接用
P6KE160
或者
P6KE200
来代替。阻塞
二极管
VD1实选
BYD
37J型600V/1.5A快恢复二极管,亦可选
UF4005
型600V/1A的超快恢复二极管,VD3采用
STPS340U
型400V/3A的肖特基二极管。SFH6106-2型光耦合器亦可用
PC817A
来代替。
高频变压器
采用E
E13
型磁芯,一次绕组匝数NP=
134
匝,其
电感
量LP=1.8mH。二次绕组匝数NS=8匝,反馈绕组匝数NF=22匝。
该电源具有良好的稳压性能。举例说明,当UO降低时,经过R5、R6分压后得到取样电压,与TL431内部的2.50V基准电压进行比较之后,使K点电位升高,
LED
的工作电流减小,再通过光耦合器使UREG升高,令TEA1522T的输出占空比增大,迫使UO升高,恢复到稳定值,从而达到了稳压的目的。RI为过流检测电阻,RAUX为退磁电阻。R7和R8是LED的限流电阻。R7还与C8构成滤波器,可滤除高频干扰。C7可适当降低误差放大器在高频端的增益,防止出现自激振荡。R9和C10用以改善误差放大器的瞬态响应。C11为安全电容,能够滤除由一次、二次绕组间分布电容产生的噪声电压。
当u=75~275V时,实测空载时的待机功耗(PD)与电源电压(u)的关系曲线如图3所示。由图3可见,PD最大不超过63mW,远低于
100
mW,这是TEA1520系列产品的一大特点。开关电源输出功率(PO)与开关频率(f)的关系曲线如图4所示,不难看出,在小功率输出时,开关频率随着输出功率的减小而迅速降低,这是此系列产品的另一显着特点。
图3 待机功耗与电源电压的关系曲线
图4 输出功率与开关频率的关系曲线
3 设计要点
下面介绍TEA1520系列单片开关电源的设计要点。需要指出,设计TEA1520系列时所用的公式与TOPSwitch-Ⅱ系列有所不同,原因之一是这两种芯片的特性存在差异,原因之二是在设计方法上二者有一定区别。下面以3W精密开关电源为例,介绍TEA1520系列的设计要点。
3.1 开关频率
通过选择振荡电阻与振荡电容值,即可设定开关频率,允许范围是20kHz~200kHz。取R2=7.5kΩ、C5=330pF时,开关频率f≈
115
kHz,可近似视为100kHz。振荡电容容量的允许范围是
220
~1000pF,不得小于220pF,否则电路可能不起振。如取C5=100pF时,欲设计f=200kHz,开关电源就无法正常工作。
3.2 高频变压器的设计
1)一次绕组的电感量LP
计算LP的公式为
LP=
(1)
式中:
IP
为一次绕组的峰值电流。
2)磁芯的选择
所选用的磁芯应能满足存储最大能量并留有一定气隙宽度的要求。但二者之间也存在着矛盾,尽管增大气隙宽度可以存储更多的能量,但泄漏电感也会随之增大,因此应做综合考虑。高频变压器所存储的最大能量(
EM
)由下式确定:
EM=10-6IP2LP (2)
式中:IP、LP的单位分别取mA、mH,EM的单位是mJ。
计算每边留出气隙宽度的公式为
δ=
(3)
式中:δ为磁芯每边留出的气隙宽度(单位是mm),一般取0.1~0.3mm;
SJ为磁芯有效截面积(单位是
mm2
);
BM
为最大磁通密度(单位是
mT
),一般可取275mT,这样在工作时不会进入磁饱和状态。
有关高频变压器磁芯的选择,可参阅表1。磁芯型号中的三组数字,分别表示磁芯的长度、宽度和厚度(单位是mm)。所选择的磁芯应符合下述条件
EM(δ1)≤EM≤EM(δ2) (4)
表1 磁芯的选择
所存储的最大容量EM/mJ
磁芯的型号
有效截面积SJ/mm2
δ1=0.1mm
δ2=0.3mm
0.10
0.23
E13/7/4
12.40
0.13
0.33
E16/12/5
19.40
0.14
0.34
E16/8/5
20.10
0.15
0.35
E13/6/6
20.20
0.20
0.45
E19/8/5
22.60
0.21
0.50
E20/10/5
31.20
0.27
0.62
E20/10/6
32.00
0.33
0.78
E25/9/6
38.40
0.38
0.88
E19/8/9
41.30
0.45
1.00
E25/13/7
52.00
0.64
1.40
E30/15/7
60.00
0.74
1.80
E31/13/9
83.20
0.74
1.80
E32/16/9
83.00
0.74
1.80
E34/14/9
80.70
举例说明,现采用E13/7/4型磁芯,查表1可知SJ=12.40mm2。已知LP=1.8mH,BM=275mT,令IP=330mA,分别代入式(2)和式(3),计算出
EM=10-6IP2LP=10-6×3302×1.8=0.19mJ
δ=
=
=0.11mm
查表1可知,EM(δ1)=0.10mJ,EM(δ2)=0.23mJ,而算出的EM=0.19mJ,恰好在0.10~0.23mJ之间,满足式(4)的规定条件,由此证明所选磁芯是合适的。为便于加工,实际气隙宽度可取整数值0.1mm。
3)一次绕组匝数NP计算公式为
NP=
(5)
根据计算结果找出一个最接近于NP值的整数值,作为一次绕组的实际匝数。将δ=0.1mm,BM=275mT,IP=330mA,代入式(5)中,得到NP=133.2匝≈134匝。
4)二次绕组匝数NS
按下式计算NS并取整数值
NS=
·NP (6)
式中,
UF3
为输出整流管的正向压降。实取UO=5V,UF3=0.4V(采用肖特基二极管),n=17,NP=134匝,代入式(6)中求出NS=8.5匝,取整数值8匝。
5)反馈绕组匝数NF
当电源电压UCC确定后,可按下式计算NF值
NF=
·NS (7)
将UCC=15V,UO=5V,
UF2
=0.7V代入式(7)中求得,NF=22.04匝,取整数值22匝。
3.3 计算过流检测电阻RI
过流检测电阻用来限定IP值,亦即
MOSFET
的最大漏极电流ID(
max
)。RI上最大压降的典型值为URI=0.5V。RI的阻值可用下式求出
RI≤
=
(8)
当IP=330mA时,由式(8)计算出RI=1.5Ω。其最大功耗P=IPURI=0.165W,实选0.5W的电阻。
3.4 计算退磁电阻RAUX
计算退磁电阻的公式为
RAUX=0.7nUO (9)
式(9)中电阻的单位是kΩ。取UO=5V,n=NP/NS=134/8=16.75≈17,将nUO=85V代入式(9)中不难算出,RAUX=60kΩ。图2中实取75kΩ。
3.5 确定电源电压UCC
TEA1520系列的电源电压典型值约为13V,实际可取20V以下。计算公式为
UCC=
·(UO+UF2)-UF2 (10)
式中的UF2代表反馈电路中整流管VD2的正向压降。将NF=22匝,NS=8匝,UO=5V,UF2=0.7V一并代入式(10)中,得到UCC=15V。
开关电源
,
上电
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