场效应管的主要参数,特点及分类基础

一：场效应管的主要参数
  
  (1)直流参数
  
  饱和漏极电流IDSS 它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
  
  夹断电压UP 它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS
  
  开启电压UT 它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS
  
  (2)交流参数
  
  低频跨导gm 它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
  
  极间电容 场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
  
  (3)极限参数
  
  漏、源击穿电压 当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
  

  
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  二：场效应管的特点
  
  场效应管具有放大作用，可以组成放大电路，它与双极性三极管相比具有以下特点：
  
  （1）场效应管是电压控制器件，它通过UGS来控制ID；
  
  （2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很高；
  
  （3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
  
  （4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
  
  （5）场效应管的抗辐射能力强。
  
  
  
  三.　符号： 　“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件
  
  　　　　　　　　　　 　　　　　　
  
  　　　 场效应管分三个极：
  
  　　　　　　　Ｄ极为漏极（供电极）　
  
  　　　　　　　Ｓ极为源极（输出极）
  
  　　　　　　　Ｇ极为栅极（控制极）
  
  　　　　　　　Ｄ极和Ｓ极可互换使用　　
  
  　　　　　　　 　　　
  
  　　　 场效应管图例：
  
  　　　　 　　　　　 　　　　　　　 　　　
  
  　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
  
  四.　场效应管的分类：
  
  　　 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。
  
  　　 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。
  
  五　主板上用的场效应管的特性：
  
  　　　 1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压
  
  　　　 2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高
  
  　　　 3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通
  
  　　　 4、场管的ＤＳ功能可互换　　　
  
  Ｎ沟道场管的导通截止电压：
  
  　　　 导通条件：ＶＧ>ＶＳ　，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大
  
  截止条件：ＶＧＳ　，ＩＤ没有电流或有很小的电流
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