低损耗吸收电路图

　　由图1（b）可知，为了使电容q放电时流过开关管V的电流小，电阻R1应选的大一些，但是为了在V导通占空比小时q都能放电干净，电阻R1应选的小一些。为了解决这个矛盾R1只能取折中值的办法。而且PR1、PV都是有相当可观的损耗。

  
  　　图1 开关管过电压的抑制方法
  　　图2所示为低损耗的吸收电路。其工作原理如下：在开关管V导通时有两部分电流流过V，一部分为Ui作用下经过P，绕组的电流Ip；另一部分为＋12V辅助电源经过凡、玑的电流Ig。当开关管V转为关断时，变压器初级漏电感引起集电极电压升高，初级部分电流流进吸收二极管D5（连续流过D5的反向恢复电流），经过战注入辅助电源。D5进入反向恢复阻断时间，同时V继续趋向关断，它的集电极电流下降到零。V在＋12V辅助电吸收二极管战的反向恢复时间必须比开关晶体管V的关断时间长一些。一般中等速度的软恢复二极管（如Philips BYX30SN）就可以用在这种场合。

  
  　　图2 低损耗的吸收电路
  　　在关断V时，流过D5的反向恢复电流也存储在电容饧中，当V再次导通时，由于V集电极电压迅速下降，D5会流过很小的正向电流，这个电流由C2提供。因此，整个吸收电路的能量损耗很小。当玑正向导通时成了正向偏置，为下一次的V关断形成吸收过程做好准备。