基于RD15HVF1 的RF放大器电子项目

　　这RF放大器电子工程电路设计的525MHz频段。这RF放大器电子项目的RD15HVF1 MOS场效应管型专门用于VHF / UHF高功率放大器的晶体管设计的基础上，这RD15HVF1 RF放大器电路项目可以提供最大15瓦的高功率和增益功率比7分贝使用很少的外部电子部分。此放大器电路的项目必须是从一个12伏直流电源供电 。
   
  　　C1的电容必须具有的10uFand价值，必须从2200pf电容并行连接组成。必须形成从两个并联的2200pf的电容C2的电容 。C3的电容必须有一个330UF的价值，必须从2200pf电容并行连接形成 。L1，L2和L3线圈必须形成从1.6毫米银plateted直径为6mm的铜线 。L1必须有4匝，L2必须有2圈和L3必须有4圈，正如你可以看到在电路原理图，这MOS FET型晶体管的需要很少的外部电子零件的电子项目。