6n137应用电路

作用：6N137/HCPL2601，HCPL2611，HCPL2630，HCPL2631是高速光电耦合器
  6N137的内部结构原理如下图所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。当输入信号电流小于触发阈值或使能端为低时，输出高电平，但这个逻辑高是集电极开路的，可针对接收电路加上拉电阻或电压调整电路。
  型号：
  单通道： 6N137 ， HCPL2601 ， HCPL2611
  双通道： HCPL2630 ， HCPL2631
  高速10MBit / s的逻辑门光电
  
   引脚图
  原理如上图所示，若以脚2为输入，脚3接地，则真值表如附表所列，这相当于非门的传输，若希望在传输过程中不改变逻辑状态，则从脚3输入，脚2接高电平。
   真值表 功能（正逻辑） Input 输入Enable 使能
  Output 输出H H L L H H H L H L L H H NC L L NC H
  绝对最大额定值（Ta= 25 ℃除非另有说明）：
  
  Symbol 符号 Parameter 参数
  Value 数值
  Units 单位 TSTG Storage Temperature 贮藏温度-55 to +125 ℃ TOPR Operating Temperature 操作温度-40 to +85 ℃ TSOL Lead Solder Temperature 焊料温度260 for 10 sec ℃ EMITTER 发送端IF DC/Average Forward 直流/平均正向单通道50 mA Input Current 输入电流双通道(每通道)30 VE Enable Input Voltage Not to Exceed VCC by more than 500mV 单通道5.5 V VR Reverse Input Voltage 反向输入电压每个通道5.0 V PI Power Dissipation 功耗单通道100 mW 双通道(每通道)45 DETECTOR 接收端VCC (1 minute max) Supply Voltage 电源电压　7.0 V IO Output Current 输出电流单通道50 mA 双通道(每通道)50 VO Output Voltage 输出电压每个通道7.0 V PO Collector Output 集电极输出单通道85 mW Power Dissipation 功耗双通道(每通道) 60
  建议操作条件：
  Symbol 符号 Parameter 参数 最小最大
  Units单位IFL Input Current, Low Level 输入电流，低电平0 250 μA IFH Input Current, High Level 输入电流，高电平*6.3 15 mA VCC Supply Voltage, Output 供电电压，输出4.5 5.5 V VEL Enable Voltage, Low Level 使能电压，低电平0 0.8 V VEH Enable Voltage, High Level 使能电压，高电平2.0 VCC V TA 工作温度范围-40 +85 ℃ N Fan Out (TTL load)扇出期( TTL负载)　8 　
  电学特性（Ta=0至70 ，除非另有规定） 单独的组件特征： Symbol 符号Parameter 参数测试条件最小典型最大单位VFInput Forward Voltage输入正向电压IF = 10mA　　　1.8V TA=25℃　1.41.75BVR Input Reverse Breakdown Voltage 输入反向击穿电压IR = 10μA 5.0 　　V CIN Input Capacitance 输入电容VF = 0, f = 1MHz 　60 　pF ΔVF / ΔTA Input Diode Temperature Coefficient 输入二极管温度系数IF = 10mA 　-1.4 　mV/℃ DETECTOR 接收端ICCH High Level Supply Current高电源电流VCC = 5.5V, IF = 0mA, VE = 0.5V 单通道　7 10 mA 双通道　10 15 ICCL Low Level Supply Current 低电平电源电流单通道VCC=5.5V, IF = 10mA　9 13 mA 双通道VE = 0.5V 　14 21 IEL Low Level Enable Current 低电平使能电流VCC = 5.5V, VE = 0.5V 　-0.8 -1.6 mA IEH High Level Enable Current 高电平使能电流VCC = 5.5V, VE = 2.0V 　-0.6 -1.6 mA VEH High Level Enable Voltage 高电平使能电压VCC = 5.5V, IF = 10mA 2.0 　　V VEL Low Level Enable Voltage 低电平使能电压VCC = 5.5V, IF = 10mA(3) 　　0.8 V
  开关特性 (TA= -40℃ to +85℃, VCC= 5V, IF= 7.5mA 除非另有说明)：
  Symbol 符号 AC Characteristics交流特性测试条件最小典型最大单位TPHHPropagation Delay Time to Output HIGH Level传递延迟时间到高电平输出RL=350Ω,CL=15pF(4)(Fig.12)TA=25℃204575ns　　　100TPHLPropagation Delay Time to Output LOW Level传递延迟时间到低电平输出TA = 25℃(5)2545 75ns 　RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12) 　　100 |TPHL
  TPLH| Pulse Width Distortion 脉宽失真(RL = 350Ω, CL = 15pF (Fig. 12) 　3 35 ns tr Output Rise Time (10–90%)输出上升时间( 10-90 ％ ) RL = 350Ω, CL = 15pF(6)(Fig. 12) 　50 　ns tf Output Rise Time (90–10%)输出上升时间( 90-10 ％ ) RL = 350Ω, CL = 15pF(7)(Fig. 12) 　12 　ns tELH Enable Propagation Delay Time to Output HIGH Level允许传播延迟时间到高电平输出IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(8)(Fig. 13) 　20 　ns tEHL Enable Propagation Delay Time to Output LOW Level 允许传播延迟时间到低电平输出IF = 7.5mA, VEH = 3.5V, RL = 350Ω, CL = 15pF(9)(Fig. 13) 　20 　ns |CMH| Common Mode Transient Immunity (at Output HIGH Level) 共模瞬态抑制比(输出高电平)TA=25℃,|VCM| =50V (Peak), IF=0mA, VOH (Min.)= 2.0V, RL = 350Ω(10)(Fig. 14) 6N137, HCPL2630 　10,000 　V/μs HCPL2601, HCPL2631 5000 10,000 　|VCM| = 400V HCPL2611 10,000 15,000 　V/μs |CML| Common Mode Transient Immunity (at Output LOW Level) 共模瞬态抑制比(输出低电平)RL = 350Ω, IF = 7.5mA, VOL (Max.)= 0.8V, TA = 25℃(11) (Fig. 14) 6N137, HCPL2630 　10,000 　HCPL2601, HCPL2631 5000 10,000 　|VCM| = 400V HCPL2611 10,000 15,000 　
  电气特性（续） 转移特性(TA = -40 to +85℃ 除非另有说明)
  Symbol 符号 DC Characteristics 直流特性测试条件 最小典型 最大 Unit 单位IOH HIGH Level Output Current 高输出电流VCC = 5.5V, VO = 5.5V, IF = 250μA, VE = 2.0V(2) 　　100 μA VOL LOW Level Output Current 低电平输出电流VCC = 5.5V, IF = 5mA, VE = 2.0V, ICL = 13mA(2) 　.35 0.6 V IFT Input Threshold Current 输入阈值电流VCC = 5.5V, VO = 0.6V, VE = 2.0V, IOL = 13mA 　3 5 mA
   隔离特性（Ta= -40 ℃至+85 ℃ ，除非另有说明. ）：
  Symbol 符号 Characteristics 特性测试条件 最小 典型 最大
  Unit 单位II-O Input-Output Insulation Leakage Current 输入输出绝缘泄漏电流相对湿度 = 45%, TA = 25℃, t = 5s, VI-O = 3000 VDC(12) 　　1.0* μA VISO Withstand Insulation Test Voltage 经受绝缘测试电压)RH < 50%, TA = 25℃, II-O ≤ 2μA, t = 1 min.(12) 2500 　　VRMS RI-O